FPGA器件设计技术发展综述(2)

　　3FPGA设计技术

　　3.1可编程技术探讨

　　在目前的FPGA设计工作中，我们常见的可编程技术主要包含有3种。

　　3.1.1SRAM编程技术

　　SRAM编程技术被称之为最基本的变成技术，是通过对传输管进行控制和存储信息的读写来完成工作的。在设计的过程中，当传输管道接通的时候，SRAM单元内部的存储信息可以通过数据传输端口来进行读取或者改写；而当传输管道中断的时候，存储的信息也会随之静置，形成一个首尾相连的锁定状态。

　　3.1.2Flash和E2PROM编程技术

　　Flash和E2PROM技术在应用的过程中存在着稳定性好、非易失性的特点，在设计的过程中及时关闭电源，其内部存数的信息也不会发生损坏和丢失。在设计工作中，如果采用Flash进行设计，那么其内部的存储单元会自动取消E2PROM隧道型存储单元选择关，通过采用一个信号一次性擦除的方式来存储信息，进而增加器件的继承性。这一技术与SBAM相比较，它结合了非易失性和可重复性的变成特点，因此具备着工作效率高、稳定性好的优势。

　　3.1.3反熔丝变成技术

　　反熔丝变成技术在编程应用之前都是以开路状态存在的，通过编程使得反熔丝结构局部发生变化，在瞬间产生大量的热损耗现象，从而使得薄绝层的物质融化反应，进而形成永久性的通道。这种技术在应用的过程中可以说是集合了FPGA的非易失性和稳定性双重优势，使得信号传输路径的电阻和电容问题得到了缓解，并且具备着安全性高的优点。但是它在应用中缺陷和极为明显，主要表现在：无法重复变成、不能用于新产品开发；一次性进行编程且无法进行可靠检测；在不同工艺下其所造成的工作差异也相当大。

　　3.2FPGA前沿设计技术与未来发展趋势

　　时至今日，在社会发展中半导体产品的应用越来越普遍，可谓是在各领域都已经趋于普及，在应用对于成本的控制都是以摩尔定律为基础进行的，而作为半导体器件中最为关键的一部分--可编程逻辑器的应用越来越普遍，它在每一次工艺升级中都出现了新的转变，在产品的功耗、频率以及密度方面都得到了重大转变。

　　受到深亚微米半导体工艺影响，传统的设计和生产工艺面临着越来越严峻的挑战，在工作中如果仍然采用传统的设计方法，在未来社会发展中必然无法满足时代要求，这就需要在工作中对其进行优化和改进。这一工作的开展是以高密度、高性能为目标开展的，对于片上的资源集成度进行了更深层次的优化，为FPGA的技术发展奠定了理论基础。

　　4结论

　　为满足用户和市场日益变化的需求，FPGA不断在密度、功能、性能和功耗等方面演变；面对深亚微米工艺带来的各种不良影响，如漏电流、设计复杂度等，又迫切需要最切实际的解决方案。随着挑战的发展，可以预言，未来FPGA的设计技术必将继续呈现出巨大的创新与进步。

　　参考文献

　　[1]付花亮.封装对CMOSVLSI电性能的影响[J].微电子学.1993（2）.

　　[2]彭科，杨海钢.一种用于数字集成系统的新型CMOS三态缓冲器的设计[J].电子器件，2007（6）.